来自 科技 2021-10-12 19:20 的文章

三星开始大规模生产采用EUV技术的DDR5存储芯片

10月12日,据外媒报道,全球最大的存储芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)周二宣布,已开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业内最小的14 nm DRAM芯片,这有助于巩固其在存储行业的领先地位。
 
继去年3月发运业界首款EUV DRAM后,三星电子已将EUV层的数量增加到5层,为其DDR5解决方案提供了最好、最先进的DRAM生产工艺。
 
与DDR4相比,DDR5是下一代DRAM标准,具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能(AI)和机器学习等数据密集型应用进行了优化。
 
三星电子表示,EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤,提高了图案绘制的准确性,从而实现了更好的性能和更高的成品率,并缩短了开发时间。
 
 
 
三星电子还表示,将很快开始批量生产DDR5,并预测最新技术将使生产率提高20%,能耗降低近20%。凭借最新的DDR5标准,三星14 nm DRAM将有助于解锁前所未有的7.2Gbps速度,这是DDR4速度的两倍多。
 
三星电子高级副总裁兼DRAM产品和技术负责人李若英(Lee Joo-Young)表示,“我们专注于关键图形技术创新,引领DRAM市场近30年。如今,三星通过多层EUV实现了另一个技术里程碑,这是传统氟化氩(ARF)工艺无法实现的壮举。”
 
他补充道:“在这一进展的基础上,我们将继续提供最具差异化的内存解决方案,充分满足5G、AI、元宇宙等数据驱动领域对更高性能和容量的需求。